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SiC 市場的下一個爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡介碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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新版DeepSeek V3悄然發(fā)布 外媒：很強(qiáng)但少了"人味"

  • 3月25日消息，中國人工智能初創(chuàng)公司DeepSeek悄然發(fā)布了一款新的大語言模型，在人工智能行業(yè)引發(fā)震動。這不僅因?yàn)槠鋸?qiáng)大的能力，還因?yàn)槠洫?dú)特的發(fā)布方式。這個大小為641GB的模型名為DeepSeek-V3-0324，于周一悄然出現(xiàn)在人工智能資源庫Hugging Face上，幾乎沒有任何官方公告，延續(xù)了該公司低調(diào)卻影響深遠(yuǎn)的發(fā)布風(fēng)格。此次發(fā)布尤其值得關(guān)注的是，該模型采用MIT許可（允許免費(fèi)商用），并且有報(bào)道稱它可以直接在消費(fèi)者級“硬件”上運(yùn)行，尤其是配備M3 Ultra芯片的蘋果Mac Studio。人工
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小米 15 Ultra 手機(jī)明日在韓上市，實(shí)體店上半年登陸首爾

  • 3 月 24 日消息，據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，小米韓國分公司今日表示，旗下旗艦智能手機(jī)、平板電腦和智能手表 25 日將在韓國正式上市，官方直營零售體驗(yàn)店“小米之家”上半年將登陸首爾。報(bào)道稱，小米韓國此次將推出旗艦智能手機(jī) Xiaomi 15 Ultra、平板電腦 Xiaomi Pad 7、智能手表 Xiaomi Watch S4。Xiaomi 15 Ultra 將提供 3 種顏色，16GB+512GB 專業(yè)影像套裝售價(jià)為 169.9 萬韓元（注：現(xiàn)匯率約合 8412 元人民幣）。Xiaomi Pad 7 將提供 3
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率（工業(yè)）應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性
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英偉達(dá)正式發(fā)布Blackwell Ultra，黃仁勛預(yù)告下一代超級芯片

  • 當(dāng)?shù)貢r間周二（3月18日），英偉達(dá)CEO黃仁勛在GTC主題演講中推出了新產(chǎn)品“Blackwell Ultra”，并預(yù)告了公司的下一代芯片“Rubin”。黃仁勛稱，去年幾乎全世界都參與到了建設(shè)人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的浪潮之中，“計(jì)算需求——即AI縮放定律——更具彈性，速度也正在超快地增長?！薄癆I已實(shí)現(xiàn)巨大飛躍——推理和代理式AI需要數(shù)量級更高的計(jì)算性能。我們?yōu)檫@一刻設(shè)計(jì)了Blackwell Ultra，這是一個功能強(qiáng)大的單一平臺，能夠輕松高效地完成AI的預(yù)訓(xùn)練、后訓(xùn)練和推理任務(wù)?！睋?jù)英偉達(dá)官網(wǎng)介紹，Bl
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性

  • 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內(nèi)建電勢，所以在低電流區(qū)域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應(yīng)用，使用SiC
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UALink還是Ultra Ethernet，面向AI的數(shù)據(jù)中心協(xié)議

  • AI 和 HPC 數(shù)據(jù)中心中的計(jì)算節(jié)點(diǎn)越來越需要擴(kuò)展到芯片或封裝之外，以獲取額外的資源來處理不斷增長的工作負(fù)載。他們可能會征用機(jī)架中的其他節(jié)點(diǎn)（縱向擴(kuò)展）或使用其他機(jī)架中的資源（橫向擴(kuò)展）。問題是目前沒有開放的 Scale-up 協(xié)議。到目前為止，這項(xiàng)任務(wù)一直由專有協(xié)議主導(dǎo)，因?yàn)榇蟛糠肿罡咝阅艿挠?jì)算都是在大型數(shù)據(jù)中心使用定制芯片和架構(gòu)完成的。雖然以太網(wǎng)在橫向擴(kuò)展方面很受歡迎，但對于 AI 和高性能計(jì)算工作負(fù)載來說，它并不理想。但兩種新協(xié)議 UALink 和 Ultra Ethernet 旨在解決當(dāng)前縱向擴(kuò)
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對蘋果生態(tài)用戶友好 小米SU7 Ultra支持iPhone互聯(lián)、后排iPad上車

  • 3月14日消息，不僅是手機(jī)產(chǎn)品，小米在汽車領(lǐng)域也實(shí)現(xiàn)了與蘋果生態(tài)的深度融合。日前，小米汽車發(fā)文稱，小米SU7 Ultra全面支持蘋果生態(tài)產(chǎn)品，如iPhone、iPad等，其搭載的小米澎湃智能座艙有非常豐富的生態(tài)拓展能力，對蘋果生態(tài)用戶非常友好。小米汽車還提到，目前有超過50%的小米汽車車主都是蘋果用戶。據(jù)了解，小米SU7 Ultra支持無線蘋果CarPlay互聯(lián)，車主可享受iPhone中的音樂、導(dǎo)航等功能。在CarPlay連接狀態(tài)下，可以正常使用小愛同學(xué)，同時CarPlay也支持Siri語音喚醒。同時，小
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蘋果 M4 Ultra 芯片恐將永遠(yuǎn)缺席，三大原因揭秘

  • 3 月 10 日消息，彭博社馬克?古爾曼昨日（3 月 9 日）發(fā)布博文，認(rèn)為蘋果公司未來不會再推出 M4 Ultra 芯片，并透露了第 3 個原因。蘋果公司于 3 月 5 日發(fā)布了 2025 款 Mac Studio，提供了 M4 Max 與 M3 Ultra 兩種配置選項(xiàng)，這不免讓人疑惑，蘋果為何選擇 M3 Ultra 而非 M4 Ultra？M3 Ultra 芯片配備高達(dá) 32 核的 CPU、80 核的 GPU、32 核的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎，并支持最高 512GB 的統(tǒng)一內(nèi)存。蘋果表示，M3 Ult
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小米u(yù)ltra的52.99萬元背后：當(dāng)風(fēng)口上的雷軍最終變成造風(fēng)者

  • 1987年，武漢大學(xué)計(jì)算機(jī)系的教室里，那個赤腳在寒冬機(jī)房編程的少年不會想到，三十八年后，他將在汽車工業(yè)史上刻下濃墨重彩的一筆。雷軍用兩年修完四年學(xué)分的狠勁，似乎早已預(yù)示著這個湖北小鎮(zhèn)青年將用"極致效率"改寫商業(yè)規(guī)則。從金山軟件CEO到天使投資人，從智能手機(jī)到智能汽車，這位永遠(yuǎn)穿著牛仔褲的科技狂人，始終在用互聯(lián)網(wǎng)思維解構(gòu)傳統(tǒng)行業(yè)。??2010年北京四月的一鍋小米粥，釀成了中國手機(jī)行業(yè)的颶風(fēng)，一具摧毀了在我國根深蒂固的“山寨機(jī)”市場；2021年宣布造車的孤注一擲，則讓國
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第16講：SiC SBD的特性

  • SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車等多種應(yīng)用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導(dǎo)體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導(dǎo)體器件的擊穿電壓與半導(dǎo)體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負(fù)電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)白皮書完整版

  • 隨著Al工作負(fù)載日趨復(fù)雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰(zhàn)讓工程師 “頭禿”！http://2s4d.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來了！http://2s4d.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)，本文將介紹演示和測試結(jié)果。演
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小米于2月27日發(fā)布SU7 Ultra，預(yù)計(jì)首年銷量達(dá)1萬輛

  • 意義：這款由中國汽車制造商小米汽車打造的SU7 Ultra，作為SU7轎車的高性能版本，旨在與保時捷Taycan和特斯拉Model S等車型競爭。展望：盡管SU7 Ultra并非是一款面向大眾市場的車型，但它將幫助小米吸引高性能車愛好者以及豪華車買家走進(jìn)其展廳。Source：Xiaomi小米汽車已于2月27日公布了SU7 Ultra的定價(jià)。這款由中國汽車制造商小米汽車打造的SU7 Ultra，作為SU7轎車的高性能版本，旨在與保時捷Taycan和特斯拉Model S等車型競爭。從一開始，小米就將SU7對標(biāo)
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小米SU7 Ultra將首次亮相巴展

  • 3月2日晚，小米在西班牙巴塞羅那召開小米15系列全球發(fā)布會，小米15?Ultra全球同步發(fā)售，歐洲起售價(jià)1499歐元。小米15標(biāo)準(zhǔn)版也正式在海外市場發(fā)售，起售價(jià)為999歐元。此外，本次發(fā)布會還帶來了小米澎湃OS2、小米平板7 Pro、小米Buds5 Pro、小米手表S4、小米電動滑板車5 Max等多款「人車家全生態(tài)」新品。小米集團(tuán)合伙人、集團(tuán)總裁盧偉冰在發(fā)布會上表示：“推動我們在高端市場的發(fā)展，比以往任何時候都更加重要?！毙∶仔夹∶譙U7 Ultra和小米15 Ultra將在3月3日同步亮相2
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